恭喜中国科学院半导体研究所孙瑞轩获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211002443.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片是由孙瑞轩;宁超;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;刘峰奇设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。
本发明授权量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，其特征在于，所述有源区单元从上往下依次包括： 注入区，用于提供注入能态； 增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态，所述注入能态与所述发光上能态的能量差为5-7meV或等于一个光学声子能量；以及 弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态； 其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用6.1Å半导体材料。
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