恭喜安徽熙泰智能科技有限公司何靖获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽熙泰智能科技有限公司申请的专利一种降低串光效应的硅基OLED微显示器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210879426.3，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权一种降低串光效应的硅基OLED微显示器及其制备方法是由何靖;曹君设计研发完成，并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低串光效应的硅基OLED微显示器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低串光效应的硅基OLED微显示器及其制备方法，所述制备方法包括在像素定义层上制备无机薄膜层，所述无机薄膜层的边缘与像素定义层的边缘对齐，且两者的边缘与阳极表面的夹角为直角；然后进行OLED层的蒸镀，且阳极表面上蒸镀的OLED层的上表面低于无机薄膜层的上表面，该方法可以隔断相邻像素之间的OLED层而避免电流的相互传输，进而避免像素的异常发光，减低串光效应。
本发明授权一种降低串光效应的硅基OLED微显示器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低串光效应的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，在像素定义层上制备无机薄膜层，所述无机薄膜层的边缘与像素定义层的边缘对齐，且两者的边缘与阳极表面的夹角为直角；然后进行OLED层的蒸镀，且阳极表面上蒸镀的OLED层的上表面低于无机薄膜层的上表面； 所述制备方法具体包括以下步骤： （1）在硅片基底上制备CMOS驱动电路形成CMOS基板； （2）在CMOS基板上制备阳极； （3）在阳极上制备像素定义层； （4）沉积无机薄膜层，并通过黄光制程对无机层薄膜层进行刻蚀以除去像素定义层表面以外的无机薄膜层，并使得无机薄膜层的宽度小于像素定义层的宽度； （5）通过灰化像素定义层的BM胶使得像素定义层的边缘与无机薄膜层的边缘对齐，且两者的边缘与阳极表面的夹角为直角； （6）蒸镀OLED层和阴极，且阳极表面上蒸镀的OLED层的上表面低于无机薄膜层的上表面； （7）制备封装层； （8）完成后续黄光及模组制程。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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