恭喜同济大学张众获国家专利权
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龙图腾网恭喜同济大学申请的专利一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210840993.8，技术领域涉及：G21K1/16；该发明授权一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法是由张众;何佳莲;伊圣振;王占山;黄秋实设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法，一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面，多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层；多层中子薄膜自旋翻转元件的制备方法中，铁硅合金薄膜层及铬薄膜层的制备工艺都为磁控溅射，本发明主要以铁硅合金薄膜层为主，采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度，使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T，铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构，促进合理晶面的生长，抑制不需要晶面的生长。
本发明授权一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件，其特征在于，包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层所述铁硅合金薄膜层与多层所述铬薄膜层依次交替沉积于所述超光滑硅片基底表面，所述多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层； 所述超光滑硅片基底的厚度小于等于0.5mm； 所述铁硅合金薄膜层的单层厚度为100nm-130nm。
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