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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利一种氮化镓基激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210440820.7，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种氮化镓基激光器是由陈振宇;赵德刚;梁峰;刘宗顺;陈平;杨静设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种氮化镓基激光器，包括：衬底；缓冲层，制作在衬底的上表面；下限制层，制作在缓冲层的上表面；InxGa1‑xN下波导层，制作在下限制层的上表面；有源区，制作在InxGa1‑ xN下波导层的上表面；InxGa1‑xN上波导层，制作在有源区的上表面；电子阻挡层，制作在InxGa1‑ xN上波导层的上表面；上限制层，制作在电子阻挡层的上表面；欧姆接触层，制作在上限制层的上表面；P型电极，制作在P型欧姆接触层的上表面；N型电极，制作在衬底的下表面；其中，InxGa1‑xN上波导层的厚度小于InxGa1‑xN下波导层的厚度。本公开提供的氮化镓基激光器具有非对称波导层结构，能够使光场中心远离P型区，有利于减小光学损耗，提高光束质量。

本发明授权一种氮化镓基激光器在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基激光器，其特征在于，包括： 衬底（1）； 缓冲层（2），制作在所述衬底（1）的上表面； 下限制层（3），制作在所述缓冲层（2）的上表面； InxGa1-xN下波导层（4），制作在所述下限制层（3）的上表面； 有源区（5），制作在所述InxGa1-xN下波导层（4）的上表面； InxGa1-xN上波导层（6），制作在所述有源区（5）的上表面； 电子阻挡层（7），制作在所述InxGa1-xN上波导层（6）的上表面； 上限制层（8），制作在所述电子阻挡层（7）的上表面； 欧姆接触层（9），制作在所述上限制层（8）的上表面； P型电极（10），制作在所述欧姆接触层（9）的上表面； N型电极（11），制作在所述衬底（1）的下表面； 其中，所述InxGa1-xN上波导层（6）的厚度小于所述InxGa1-xN下波导层（4）的厚度； 所述有源区（5）为InxGa1-xN多量子阱结构，包括2层阱层（52）和3层垒层（51），所述阱层（52）和所述垒层（51）交替分布；靠近所述InxGa1-xN上波导层（6）的2层垒层（51）的厚度相同，靠近所述InxGa1-xN下波导层（4）的垒层（51）的厚度小于靠近所述InxGa1-xN上波导层（6）的2层垒层（51）的厚度。

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