恭喜长江存储科技有限责任公司高庭庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368213.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制备方法是由高庭庭;杜小龙;杨子晋;夏志良;刘小欣;孙昌志;袁伟;吴采宇设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿叠层结构的沟道孔；通过沟道孔对部分牺牲层进行刻蚀，以形成第一凹槽；在沟道孔和第一凹槽的内壁形成第一填充层，并在第一凹槽内的第一填充层上形成第二填充层；以及对未被第二填充层覆盖的部分第一填充层进行氧化处理以形成多个氧化部。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道孔； 通过所述沟道孔对部分所述牺牲层进行刻蚀，以形成第一凹槽； 在所述沟道孔和所述第一凹槽的内壁形成第一填充层，并在所述第一凹槽内的第一填充层上形成第二填充层； 对未被所述第二填充层覆盖的部分所述第一填充层进行氧化处理以形成多个氧化部，其中，在垂直于所述衬底的方向上，相邻的所述氧化部之间的间隔小于所述牺牲层的高度；以及 形成非连续的电荷捕获层，其中，所述电荷捕获层包括多个存储子结构，所述存储子结构位于相邻的所述氧化部之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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