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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114564840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210201464.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法是由丁颖;李源;王新茹;程鑫雨;廖烈鸿;张嘉颜设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法。本发明揭示了外尔半金属材料的光电性质与偏压的相关性，通过第一性原理计算出外尔半金属材料的能带图、态密度图以及光电流大小，间接说明了外尔半金属材料器件的光电性质与电子能带跃迁之间的关系，直观地显示出器件在不同偏压下光电流的大小，并为偏压调控手段在器件应用相关领域奠定了理论基础。

本发明授权一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤： S1、构建外尔半金属材料器件模型，具体为： 首先，查阅文献资料，对外尔半金属材料原胞构建模型，对其进行结构优化；其次、复现其能带结构，以证明外尔半金属材料原胞结构的准确性； 之后对优化后的外尔半金属材料原胞模型进行扩胞操作得到外尔半金属材料器件模型的中心区，选择铜作为外尔半金属材料器件模型的电极材料，构建外尔半金属材料器件模型； S2、对所建立的外尔半金属材料器件模型进行光电性质计算，具体为： S21、根据外尔半金属材料的特性、施加偏压的方向和大小，设置输入的自洽文件，对外尔半金属材料器件模型进行自洽计算； 具体是：先进行两电极的自洽计算，再对中心区进行自洽计算，得到包含自洽结果和计算总能的文件； S22、在自洽计算完成后，根据所选择偏振光的种类、光子能量范围、光子间隔、入射角度、光照原子数目设置光电流计算的参数，得到光电流的输入文件； S23、对光电流的输入文件进行计算，得到在不同光子能量下的光电流大小； S24、通过改变偏压的大小，得到在不同偏压下外尔半金属材料器件模型的光电流大小； S3、对计算结果分析与处理，具体为： S31、将建立的外尔半金属材料原胞模型通过晶体结构可视化软件得到键长、键角及晶格常数的信息； S32、绘制所建立的外尔半金属材料原胞模型的能带结构图、电荷密度图、态密度图以及外尔半金属材料器件模型的透射谱图、光电流随光子能量变化图； S33、分析施加偏压情况下，外尔半金属材料器件模型光电流变化与施加偏压的关系。

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