买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111595311.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺是由何艳静;赖建锟;袁昊;汤晓燕;宋庆文;弓小武设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺，包括：获取碳化硅EPI衬底；在碳化硅EPI衬底中的N‑SiC外延层上生长牺牲氧化层；去除牺牲氧化层；在N‑SiC外延层上生长SiO2阻挡层；在N‑SiC外延层和SiO2阻挡层上生长C薄膜层；在PWELL区的离子注入窗口形成PWELL区；去除C薄膜层和SiO2阻挡层；在P+注入区的离子注入窗口形成P+注入区；在N+源区的离子注入窗口形成N+源区；在N‑SiC外延层上生长氧化层；在氧化层上生长N型多晶硅薄膜层；刻蚀掉栅极区域外的氧化层和N型多晶硅薄膜层形成栅极氧化层和N型多晶硅栅极。本发明提高了阈值电压稳定性。

本发明授权一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅VDMOSFET器件阈值电压稳定性的制备工艺，其特征在于，包括： 选取碳化硅EPI衬底；其中，所述碳化硅EPI衬底包括N+SiC衬底和位于所述N+SiC衬底上的N-SiC外延层； 在所述N-SiC外延层上生长牺牲氧化层； 去除所述牺牲氧化层； 在所述N-SiC外延层上生长SiO2阻挡层； 在所述SiO2阻挡层两端的上表面光刻出PWELL区的光刻区域，刻蚀掉所述PWELL区的光刻区域内的SiO2阻挡层形成PWELL区的离子注入窗口； 利用磁控溅射工艺，在所述N-SiC外延层和所述SiO2阻挡层上生长厚度为的C薄膜层； 在所述PWELL区的离子注入窗口内的C薄膜层上进行多次离子注入形成PWELL区； 去除所述PWELL区的离子注入窗口外的所述C薄膜层； 去除所述SiO2阻挡层； 在所述PWELL区两端的上表面光刻出P+注入区的离子注入窗口，并在所述P+注入区的离子注入窗口内进行离子注入形成P+注入区； 在所述PWELL区光刻出N+源区的离子注入窗口，并在所述N+源区的离子注入窗口内进行离子注入形成N+源区；其中，所述N+源区的离子注入窗口与所述P+注入区的离子注入窗口相邻接； 在所述N-SiC外延层、所述PWELL区、所述P+注入区和所述N+源区上生长氧化层； 在所述氧化层上生长N型多晶硅薄膜层； 在所述N型多晶硅薄膜层上光刻出栅极区域，刻蚀掉所述栅极区域外的所述氧化层和所述N型多晶硅薄膜层分别形成栅极氧化层和N型多晶硅栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。