恭喜株洲中车时代半导体有限公司余开庆获国家专利权
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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种RC-IGBT元胞的制备方法及RC-IGBT芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111543886.0，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种RC-IGBT元胞的制备方法及RC-IGBT芯片是由余开庆;朱利恒;穆纳福·拉希莫;王辉;肖强;覃荣震;蔡海;罗海辉设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种RC-IGBT元胞的制备方法及RC-IGBT芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种RC‑IGBT元胞的制备方法及RC‑IGBT芯片，该制备方法包括：对半导体基板进行处理并在其上形成由氧化层和多晶硅组成的栅极；在所述栅极的中部刻蚀出多个孔洞区；通过一具有预设结构的光刻版在所述孔洞区进行N+发射极的注入，其中注入有所述N+发射极的区域为IGBT区，未注入所述N+发射极的区域为FRD区。本申请提供的制备方法通过对条形栅极分段，通过在栅极的中部刻蚀出多个孔洞区，并利用有预设结构的光刻版在孔洞区合理布局N+发射极的位置，让没有被沟道短路的二极管部分率先进入电导调制状态，能有效降低VF，优化了VF‑shift。
本发明授权一种RC-IGBT元胞的制备方法及RC-IGBT芯片在权利要求书中公布了：1.一种RC-IGBT元胞的制备方法，其特征在于，该方法包括： 对半导体基板进行处理并在其上形成由氧化层和多晶硅组成的栅极； 在所述栅极的中部刻蚀出多个孔洞区；每一个所述孔洞区均包括第一刻开区和分布在所述第一刻开区周围的第二刻开区；其中，第一刻开区是刻蚀到半导体基板的孔洞，第二刻开区是刻蚀到多晶硅层的孔洞； 通过一具有预设结构的光刻版在所述孔洞区进行N+发射极的注入，其中注入有所述N+发射极的区域为IGBT区，未注入所述N+发射极的区域为FRD区； 所述光刻版包括：板体以及设置在板体上的多个孔体； 其中，各所述孔体沿着所述栅极的长度方向依次排列，且所述孔体的位置与所述IGBT区的位置一一对应。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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