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龙图腾网恭喜烟台正海磁性材料股份有限公司申请的专利一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111537578.7，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用是由彭步庄;任建瑶;李广军;宿云婷设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种R‑T‑B类钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体按质量比为100％计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；0.80～0.93wt％的B；0.1～0.50wt％的Cu；0.2‑0.5wt％的Ga；0～0.5wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；0.1～1.5wt％的Al；余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。本申请通过调整R，Cu，Ga，M元素的比例，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量，在合金铸片制成粉末之前，对合金铸片进行750±50℃的保温处理，可在保证90vol％的主相前提下，能够在磁体晶界处形成体积分数40vol％以上的R‑Ga‑Cu‑M相，同时在一定程度上减少R‑T‑Ga相的存在，避免因R‑T‑Ga相较多，使磁体的Hcj降低。

本发明授权一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种R-T-B类钕铁硼磁体，其特征在于，按质量比为100%计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt%的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素； 0.80～0.93wt%的B； 0.10～0.50wt%的Cu； 0.20～0.50wt%的Ga； 0.20～0.30wt%的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量； 0.10～1.50wt%的Al； 余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt%以上； 所述R-T-B类钕铁硼磁体晶界处至少含有40vol%的R-Ga-Cu-M相； 其中，R-Ga-Cu-M相中包括40.0wt%-85.0wt%的R；2.0wt%-10.0wt%的Ga；1.0wt%-6.0wt%的Cu和0.4wt%-4.0wt%的M。

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