恭喜日本碍子株式会社竹林央史获国家专利权
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龙图腾网恭喜日本碍子株式会社申请的专利半导体制造装置用构件及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111499114.1，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权半导体制造装置用构件及其制法是由竹林央史;伊藤丈予设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置用构件及其制法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件10具备：具有凹形状的晶片载置面22且内置有静电电极24的陶瓷制的上部板20；经由第一金属接合层31接合于上部板20的与晶片载置面22相反侧的面上的中间板30；以及经由第二金属接合层32接合于中间板30的与接合上部板20的面相反侧的面上的下部板40。中间板30的热膨胀系数大于上部板20和下部板40的热膨胀系数。
本发明授权半导体制造装置用构件及其制法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造装置用构件，具备： 陶瓷制的上部板，其具有凹形状或凸形状的晶片载置面，并内置有静电电极； 中间板，其经由第一金属接合层而接合于所述上部板的与所述晶片载置面相反侧的面上；以及 下部板，其经由第二金属接合层而接合于所述中间板的与接合所述上部板的面相反侧的面上， 所述中间板的热膨胀系数大于所述上部板和所述下部板的热膨胀系数， 在所述下部板内置有电阻发热体， 布线有所述电阻发热体的区域的直径为所述上部板的直径以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日本碍子株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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