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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111490774.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法是由钱文生设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件，将超级结与屏蔽栅相结合，在衬底中包含有沟槽，沟槽中位于下半部分的屏蔽栅以及位于上半部分的栅极，衬底表层具有体区和所述功率器件的源区，在漂移区中具有超级结结构，所述超级结结构的P柱为悬浮状态，其与沟槽之间错开，以增大P柱与沟槽之间的漂移区宽度。通过屏蔽栅的RESURF效应和柱状薄层的电荷耦合效应，降低栅漏电容Cgd，将器件的击穿电压BV最大化，并通过漂移区电阻率的降低来降低器件导通电阻。本发明还公开了具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件的工艺方法，悬浮型的P柱采用多次的高能离子注入形成，P柱注入所用的掩膜版可与器件体区引出区的注入掩膜版共享，不需要制作额外的掩膜版。

本发明授权具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超级结的屏蔽栅沟槽型功率器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤： 步骤一，提供一具有第二导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上进行第二导电类型的离子注入形成漂移区，再在所述半导体衬底的表层进行第一导电类型的离子注入形成所述屏蔽栅沟槽型功率器件的体区； 步骤二，通过光刻及刻蚀在所述半导体衬底中刻蚀出沟槽，沉积介质层，并在所述沟槽中沉积多晶硅，回刻形成屏蔽栅；然后再次沉积介质层并在沟槽中填充多晶硅并回刻，形成所述屏蔽栅沟槽型功率器件的栅极； 步骤三，在所述半导体衬底的表层进行离子注入形成所述屏蔽栅沟槽型功率器件的源区； 步骤四，利用体区引出区的掩膜版进行离子注入，形成所述体区的体区引出区；然后再次利用体区引出区的掩膜版进行离子注入，形成所述屏蔽栅沟槽型功率器件的柱状薄层；所述的柱状薄层为悬浮型，即所述的柱状薄层的顶端与底端均不与漂移区以外的结构接触，所述柱状薄层与沟道之间被漂移区隔开，并与所述沟槽错开。

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