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龙图腾网恭喜浙江珏芯微电子有限公司申请的专利制冷红外探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111364737.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权制冷红外探测器的制备方法是由毛剑宏;杜宇;杨天伦设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本制冷红外探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制冷红外探测器的制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型或凸型的铟柱，之后，在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行倒焊互连，从而实现通过采用一冷一热的倒焊方式具体实施可以定为上冷下热，或者下热上冷，其中冷端温度一般为0℃～30℃，热端的温度一般为80℃～250℃，实现加强了铟柱的稳定性，并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，而保证读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。

本发明授权制冷红外探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制冷红外探测器的制备方法，所述制冷红外探测器的衬底为碲锌镉衬底，其特征在于，包括如下步骤： S1，提供用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片和用于形成所述制冷红外探测器的读出电路芯片； S2，在所述器件芯片或所述读出电路芯片的表面上形成钝化层，所述钝化层中形成有第一开口，以通过所述第一开口暴露出部分该芯片的衬底表面； S3，对形成有钝化层的芯片进行金属化处理，以在所述芯片的表面上形成形状呈凹型的电极结构，所述电极结构至少包括沿远离所述芯片的衬底表面的方向上依次沉积的第一金属层和第二金属层； S4，在所述电极结构的表面上依次形成第三金属层和金属化层，并使所述第三金属层与所述电极结构进行金属合金互联，形成200℃以下的金属合金； S5，在所述金属化层的表面上沉积铟柱材料层，以在该芯片的表面上形成形状呈凹型的铟柱，以及同时在形成所述制冷红外探测器的另一芯片上形成形状呈凸型的铟柱，以保证所述器件芯片上和所述读出电路芯片上形成的铟柱形状一个呈凹型一个呈凸型； S6，利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连，以得到制冷红外探测器； 其中，在步骤S6中利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连的步骤包括： S6.1，控制形成有凹型铟柱的芯片的温度为第一阈值温度，并同时将形成有凸型铟柱的芯片的温度加热到第二阈值温度，以在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行互连；其中，所述第一阈值温度的范围为小于80℃，所述第二阈值温度的范围为：100℃～210℃，且所述第一阈值温度和所述第二阈值温度的取值范围可互换。

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