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龙图腾网恭喜广东汇芯半导体有限公司申请的专利半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113824295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111097863.1，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权半导体电路是由冯宇翔;谢荣才;张土明;左安超设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体电路，包括散热基板、绝缘层、线路层和多个电子元件，多个电子元件包括PFC驱动芯片、整流电路、PFC开关管、续流二极管和快恢复二极管，其中线路层分为强电区和弱电区，PFC驱动芯片设置于弱电区，整流电路、PFC开关管和快恢复二极管设置于强电区。通过将PFC电路独立设置于半导体电路的模块中，并且在线路层分成强电区和弱电区，二者独立区分，以此有效的减少强电区域对弱电区域的干扰，且可以独立的设置针对PFC电路的各种保护功能，以此有效的减少PFC电路的占用体积，增强其工作可靠性。

本发明授权半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体电路，其特征在于，所述半导体电路包括散热基板、绝缘层、线路层和多个电子元件，所述多个电子元件包括PFC驱动芯片、整流电路、PFC开关管、续流二极管和快恢复二极管，其中所述线路层分为强电区和弱电区，所述PFC驱动芯片设置于所述弱电区，所述整流电路、PFC开关管和快恢复二极管设置于所述强电区； 所述半导体电路的两侧还设置有强电引脚组和弱电引脚组，所述强电引脚组和弱电引脚组分别靠近且电连接所述强电区和所述弱电区； 所述弱电区设置有铺地铜箔区，所述驱动芯片设置于所述铺地铜箔区，且所述驱动芯片的接地端于所述铺地铜箔区电连接，其中所述铺地铜箔区的面积相对所述驱动芯片的面积大，所述铺地铜箔区的面积大于所述驱动芯片的面积30%以上； 所述强电区依次设置有整流铜箔区和开关管铜箔区，所述强电引脚组包括整流输入输出引脚组和PFC开关引脚组，所述整流输入输出引脚组靠近所述整流铜箔区设置且与之电连接，所述PFC开关引脚组靠近所述开关管铜箔区设置且与之电连接； 所述开关管铜箔区包括第一开关管铜箔子区和第二开关管铜箔子区，所述第一开关管铜箔子区中部设置留空以容纳所述第二开关管铜箔子区，所述第一开关管铜箔子区设置有PFC开关管和快恢复二极管，所述第二开关管铜箔子区设置有续流二极管，所述续流二极管的功率比PFC开关管和快恢复二极管的功率低，第一开关管铜箔子区的中部在靠近半导体电路封装的侧边设置有突出部，基于该突出部形成PFC电路的高压输入的PFCL端口，所述PFCL端口与PFCL引脚直接连接。

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