恭喜南亚科技股份有限公司范倍诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110742319.1，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体元件结构及其制备方法是由范倍诚设计研发完成，并于2021-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，其是可避免微图案的塌陷。该半导体元件结构具有一第一目标结构以及一第二目标结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第一氮化硼间隙子，设置在该第一目标结构上，其中在剖视图中，该第一氮化硼间隙子的一最高点是位在该第一目标结构的一中心线与该第二目标结构的一中心线之间。
本发明授权半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一第一目标结构以及一第二目标结构，设置在一半导体基底上；以及 一第一氮化硼间隙子，设置在该第一目标结构上，其中在剖视图中，该第一氮化硼间隙子的一最高点位在该第一目标结构的一中心线与该第二目标结构的一中心线之间， 其中，在剖视图中，该第一氮化硼间隙子具有一圆凸上表面，该圆凸上表面包括在剖视图中面向该第二目标结构的该中心线的弯曲部分，并且该第一氮化硼间隙子的该最高点位于该圆凸上表面的该弯曲部分的一顶部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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