恭喜株式会社国际电气中谷公彦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110716155.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质是由中谷公彦;桥本良知设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。提供提高用膜填埋凹部内时的埋入特性的技术。具有：a向表面设有凹部的衬底供给前处理气体，从而在凹部内的至少上部形成与成膜阻碍剂的反应性比该成膜阻碍剂与凹部内的表面的反应性高的基底膜的工序；b向衬底供给成膜阻碍剂，从而在形成于凹部内的至少上部的基底膜的表面中的与凹部内的上部对应的部分形成成膜阻碍层的工序；和c向衬底供给成膜气体，从而以凹部内的未形成成膜阻碍层的部分为起点使膜生长的工序。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其具有下述工序： a向表面设有凹部的衬底供给前处理气体，从而在所述凹部内的至少上部形成基底膜的工序，所述基底膜与成膜阻碍剂的反应性比该成膜阻碍剂与所述凹部内的表面的反应性高； b通过向所述衬底供给所述成膜阻碍剂，从而在形成于所述凹部内的至少上部的所述基底膜的表面中的与所述凹部内的上部对应的部分形成成膜阻碍层的工序；和 c通过向所述衬底供给成膜气体，从而以所述凹部内的未形成所述成膜阻碍层的部分为起点使材质与所述基底膜不同的膜生长的工序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社国际电气，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号