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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114031034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110690849.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件是由陈亭蓉;曾李全设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件在说明书摘要公布了：集成电路IC器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形成集成电路IC器件的方法。

本发明授权形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括： 在第一晶圆上方形成介电层； 在所述介电层上提供第二晶圆； 在所述第二晶圆的与所述介电层相对的上表面中形成多个沟槽； 沿所述多个沟槽的下部和侧壁形成介电衬垫，并且用导电材料填充所述多个沟槽的剩余部分，以建立一系列相互交叉的指状件，所述相互交叉的指状件的指状件长度在第一方向上彼此平行延伸； 在所述第二晶圆的所述上表面上方形成掩模，其中，所述掩模包括布置在相邻的指状件的外侧壁之间的一系列开口，并且其中，靠近指状件的基底的第一开口的第一面积大于靠近指状件的尖端的第二开口的第二面积；以及 在所述掩模在适当位置的情况下实施蚀刻，以在所述相互交叉的指状件的侧壁之间以及所述相互交叉的指状件的底面和所述介电层的上表面之间形成腔， 其中，所述蚀刻在所述介电层的上表面上留下所述第一晶圆的材料作为一系列峰，其中，所述一系列峰中的峰位于所述指状件正下方， 其中，第一组峰位于所述指状件正下方，所述第一组峰具有彼此不同的高度，并且其中，所述指状件的所述基底下面的第一峰的第一高度大于所述指状件的所述尖端下面的第二峰的第二高度。

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