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龙图腾网恭喜联嘉光电股份有限公司申请的专利具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513352B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110689733.0，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体是由陈復邦;张志强;黄长清;赖俊铭;黄文星;蔡增光;黄国欣设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体在说明书摘要公布了：具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体包含发光二极管晶粒与封装载板，该发光二极管晶粒具有半导体磊晶结构、介面横向延伸结构、晶粒导电基座结构、位于该半导体磊晶结构上方的N型电极与位于该介面横向延伸结构上的P型分流检测电极，该晶粒导电基座结构具有位于下方侧的P型主要电极，该封装载板包含多个电极接点，其中透过该多个电极接点连接该N型电极、该P型分流检测电极与该P型主要电极，而能够以检测电特性而评估该半导体磊晶结构与该晶粒导电基座结构内的一替代基板粘合层以及该P型主要电极与该封装载板之间的一载板固晶粘合层的制程品质。且本发明亦将该多个电极接点连接至该封装载板上方达成简易与精准的电特性测试。

本发明授权具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体在权利要求书中公布了：1.一种具有电性检测位置的垂直式发光二极管晶粒封装体，其特征在于，包含： 一发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒具有一晶粒导电基座结构、一介面横向延伸结构、一半导体磊晶结构、一N型电极与一P型分流检测电极，其中该晶粒导电基座结构具有位于下方侧的一P型主要电极，该晶粒导电基座结构远离该P型主要电极的一侧设置该介面横向延伸结构，于该介面横向延伸结构的上方平面分别设置该半导体磊晶结构与该P型分流检测电极，该半导体磊晶结构与该晶粒导电基座结构之间为通过该介面横向延伸结构达到欧姆接触，该半导体磊晶结构远离该晶粒导电基座结构的一侧设置该N型电极；该晶粒导电基座结构还具有一结构金属层、一替代基板粘合层与一高导热替代基板，该结构金属层位于该介面横向延伸结构的下方，该结构金属层的下方以该替代基板粘合层粘合该高导热替代基板，该高导热替代基板的下方设置该P型主要电极； 一封装载板，该封装载板具有位于两侧的一上侧平面与一下侧平面，该下侧平面设置一阳极与一阴极，而该上侧平面设置一主元件第一电极、一主元件第二电极、一主元件第三电极、一电性测试第一位置接点、一电性测试第二位置接点与一电性测试第三位置接点，其中该N型电极与该主元件第一电极为以一晶粒第一打线金属电性连接，该P型分流检测电极与该主元件第二电极为以一晶粒第二打线金属电性连接，该P型主要电极则透过一载板固晶粘合层直接粘结该主元件第三电极而电性连接，而该电性测试第一位置接点电性连接该主元件第一电极与该阴极，该电性测试第二位置接点电性连接该主元件第二电极，该电性测试第三位置接点电性连接该主元件第三电极与该阳极。

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