恭喜铠侠股份有限公司伊藤孝政获国家专利权
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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684782.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置是由伊藤孝政;松本浩史设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实施方式的半导体装置具备半导体衬底。第1绝缘膜设置在半导体衬底上。第1导电膜设置在第1绝缘膜上。多个第1电极膜设置在第1导电膜上，相互分离积层。半导体部件在多个第1电极膜的积层构造内，在多个第1电极膜的积层方向延伸。电荷蓄积部件设置在多个第1电极膜中的1个与半导体部件之间。第1导电膜具备：配置在多个第1电极膜下方的本体部、及与所述本体部分开设置在本体部外周的外周部。第1及第2狭缝交替设置在外周部，沿着本体部的外周延伸。从积层方向观察时，第1及第2狭缝相互分开，从本体部朝向外周部的第1方向观察时，包含第1及第2狭缝的一部分重叠的第1及第2狭缝。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具备： 半导体衬底； 第1绝缘膜，设置在所述半导体衬底上； 第1导电膜，设置在所述第1绝缘膜上； 多个第1电极膜，设置在所述第1导电膜上，相互分离积层； 半导体部件，在所述多个第1电极膜的积层构造内，在所述多个第1电极膜的积层方向延伸；及 电荷累积部件，设置在所述多个第1电极膜中的1个与所述半导体部件之间；且 所述第1导电膜包含： 本体部，配置在所述多个第1电极膜的下方； 外周部，与所述本体部分开设置在所述本体部的外周；及 第1及第2狭缝，交替设置在所述外周部，沿着所述本体部的外周延伸，且从所述积层方向观察时，所述第1及第2狭缝相互分开，从所述本体部朝向所述外周部的第1方向观察时，所述第1及第2狭缝的一部分重叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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