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龙图腾网恭喜京微齐力(北京)科技有限公司申请的专利一种FIFO读写控制电路、控制方法、芯片以及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113312282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110650503.3，技术领域涉及：G06F13/16；该发明授权一种FIFO读写控制电路、控制方法、芯片以及设备是由王潘丰;王海力设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FIFO读写控制电路、控制方法、芯片以及设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种FIFO读写控制电路、控制方法、芯片以及设备，包括依序连接的写指针、储存器及读指针，FIFO读写控制电路还包括第一控制端口、第二控制端口以及控制单元；第一控制端口连接写指针，第二控制端口连接读指针，控制单元分别连接第一控制端口及第二控制端口，控制单元根据储存器中有效数据的长度分别控制写指针的初始写地址位置及读指针的初始读地址位置，通过上述实施方式，本申请能够快速调整存储器中数据长度。

本发明授权一种FIFO读写控制电路、控制方法、芯片以及设备在权利要求书中公布了：1.一种FIFO读写控制电路，包括依序连接的写指针、存储器及读指针，其特征在于，所述FIFO读写控制电路还包括第一控制端口、第二控制端口以及控制单元； 所述第一控制端口连接所述写指针，所述第二控制端口连接所述读指针，所述控制单元分别连接所述第一控制端口及所述第二控制端口，所述控制单元根据所述存储器中有效数据的长度分别控制所述写指针的初始写地址位置及所述读指针的初始读地址位置； 所述FIFO读写控制电路还包括标志位逻辑产生单元，所述标志位逻辑产生单元分别连接所述存储器、所述写指针以及所述读指针； 所述标志位逻辑产生单元根据所述存储器中读地址和写地址的关系产生所述FIFO读写控制电路的空标志和满标志；当写地址和读地址相等时，则判断FIFO读写控制电路的存储器为空；当读地址与写地址除最高位相反，其他位相同时，则判断FIFO读写控制电路的存储器为满； 所述标志位逻辑产生单元还产生将满标志和将空标志，当写地址与读地址的距离小于某个预先定义数值时，将满标志为1；当读地址与写地址的距离小于这个预先定义的数值时，将空标志为1。

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