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龙图腾网恭喜集益威半导体(上海)有限公司申请的专利提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115225079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110431596.0，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路是由姚豫封;蔡敏卿;王浩南;葛云龙;李承哲;钟英权设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路，包括第一级和第二级，第一级包括：第一至第二十晶体管，第一电阻，一对第二电阻，一对第一电容，及一对第二电容。第一级电路中第九和第十晶体管直接与地端相连接，取消了与偏置电流源的电连接。第九和第十晶体管的输入端接到前级第十九和第二十晶体管的输出信号，使得第九和第十晶体管既是输入对管又是电流源的管子，整体通过电流受到第十三和第十四晶体管限制，从而可以使得第九至第十四晶体管所在第一级的电源电压较低。

本发明授权提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路在权利要求书中公布了：1.一种提高PAM4模拟接收前端线性度和信道补偿的电路，其特征在于，包括第一级，其包括：第一至第二十晶体管，第一电阻，一对第二电阻，一对第一电容，及一对第二电容；其中， 所述第一晶体管的漏极和栅极、所述第二晶体管的栅极、所述一对第二电阻中每个的一端、所述第十七晶体管的栅极与所述第十八晶体管的栅极相连并与偏置电流耦合； 所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极、所述第四至第六晶体管的栅极与所述第十三至第十六晶体管的栅极相连； 所述第三晶体管的栅极与共模电压耦合； 所述第四至第六晶体管的源极、所述第十三至第十六晶体管的源极与所述一对第一电容中每个的一端相连并与电压源耦合； 所述第五和第十五晶体管的漏极、所述第十九晶体管的源极、所述一对第一电容中一个的另一端与所述第一电阻的一端相连，所述第六和第十六晶体管的漏极、所述第二十晶体管的源极、所述一对第一电容中另一个的另一端与所述第一电阻的另一端相连； 所述第十九晶体管的漏极、所述第九和第十一晶体管的栅极与所述第七和第十七晶体管的漏极相连，所述第二十晶体管的漏极、所述第十和第十二晶体管的栅极与所述第八和第十八晶体管的漏极相连； 所述第七晶体管的栅极耦合到所述一对第二电阻中一个的另一端和所述一对第二电容中一个的一端，所述第八晶体管的栅极耦合到所述一对第二电阻中另一个的另一端和所述一对第二电容中另一个的一端； 所述第十九晶体管的栅极和所述一对第二电容中一个的另一端与同相输入信号耦合，所述第二十晶体管的栅极和所述一对第二电容中另一个的另一端与反相输入信号耦合； 所述第十一和第十二晶体管的源极与所述第十三和第十四晶体管的漏极相连，所述第十一晶体管的漏极与所述第九晶体管的漏极相连并输出第一级同相输出信号，所述第十二晶体管的漏极与所述第十晶体管的漏极相连并输出第一级反相输出信号； 所述第一、第二、第七至第十、第十七和第十八晶体管的源极耦合到地端。

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