恭喜高通股份有限公司A·J·泰谢拉·德奎伊罗斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032298.2，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装是由A·J·泰谢拉·德奎伊罗斯;A·弗朗茨;A·K·克雷弗特;C·赖特林格设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装在说明书摘要公布了：一种封装，包括：衬底、集成器件、第一封装层和空隙。该衬底包括第一表面。集成器件被耦合到衬底的第一表面。第一封装层位于衬底的第一表面和集成器件之上。第一封装层包括相对于集成器件的侧表面的底切。空隙位于集成器件和衬底的第一表面之间。空隙被封装层的底切横向地包围。
本发明授权包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装在权利要求书中公布了：1.一种封装，包括： 衬底，包括第一表面； 集成器件，被耦合到所述衬底的所述第一表面； 第一封装层，位于所述衬底的所述第一表面和所述集成器件之上，其中所述第一封装层包括相对于所述集成器件的侧表面的底切，其中所述底切不是垂直底切，以及 空隙，位于所述集成器件和所述衬底的所述第一表面之间，其中所述空隙被所述第一封装层的所述底切横向地包围。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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