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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利PN结制备的方法、PN结和调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115185111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110374346.8，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权PN结制备的方法、PN结和调制器是由董振;李彦波设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本PN结制备的方法、PN结和调制器在说明书摘要公布了：本申请揭示了PN结、PN结制备方法和调制器。一种PN结包括平板波导层和设置在平板波导层上的沿特定方向间隔排列的多个波导。平板波导层包括在特定方向上交替排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域，且两个区域的交界处形成沿特定方向呈收尾相接的S型的载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的每一个包括P型掺杂区域和N型掺杂区域，两个区域的交界处形成一个载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的P型掺杂区域、N型掺杂区域和载流子耗尽区在平板波导区域表面的投影和平板波导层对应区域在平板波导区域表面的投影基本重合。该PN结的调制效率较高、光学损耗较低。可选地，该PN结可以采用倾斜角度离子注入掺杂实现，能够降低其制备成本。

本发明授权PN结制备的方法、PN结和调制器在权利要求书中公布了：1.一种PN结的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 以一组第一掩膜为阻挡，沿第一方向刻蚀光波导，以在所述光波导的表面形成光栅波导结构，所述一组第一掩膜为间隔排列的多个掩膜，所述光栅波导结构包括多个间隔排列的波导块且所述光栅波导结构的厚度小于所述光波导的厚度； 以所述一组第一掩膜为阻挡，以第一注入方向向所述光波导内注入P型离子,所述第一注入方向与所述第一方向的夹角在10,80度之间，所述第一注入方向与所述多个掩膜的排列方向的夹角在0，90或90,180度之间，所述第一注入方向与第二方向的夹角在0，90或90,180度之间，所述第二方向与所述多个掩膜的排列方向和所述第一方向均垂直； 以所述一组第一掩膜为阻挡，以第二注入方向向所述光波导内注入N型离子,以在所述P型离子所在的区域和所述N型离子所在的区域的交界处形成所述PN结的载流子耗尽区，所述第二注入方向与所述第一方向的夹角在10,80度之间，其中：当所述第一注入方向与所述多个掩膜的排列方向的夹角在0，90度之间时，所述第二注入方向与所述多个掩膜的排列方向的夹角在90,180度之间，或者，当所述第一注入方向与所述多个掩膜的排列方向的夹角在90，180度之间时，所述第二注入方向与所述多个掩膜的排列方向的夹角在0,90度之间；当所述第一注入方向与所述第二方向的夹角在0，90度之间时，所述第二注入方向与所述第二方向的夹角在90,180度之间，或者，当所述第一注入方向与所述第二方向的夹角在90，180度之间时，所述第二注入方向与所述第二方向的夹角在0,90度之间。

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