恭喜意法半导体有限公司D·加尼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜意法半导体有限公司申请的专利具有透明基底的WLCSP及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110329854.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有透明基底的WLCSP及其制造方法是由D·加尼;R·阔设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有透明基底的WLCSP及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有透明基底的WLCSP及其制造方法。本公开涉及一种封装体，诸如晶片级芯片规模封装WLCSP，具有被耦合到透明基底的中心部分的裸片。透明基底包括中心部分和包围中心部分的外围部分。封装体包括导电层，导电层被耦合到封装体内的裸片的接触件，接触件从透明基底延伸到封装体的有源表面。有源表面被用于将封装体相应地安装在电子器件内或安装到印刷电路板PCB。封装体包括将裸片与导电层分开的第一绝缘层和处于导电层上的第二绝缘层。
本发明授权具有透明基底的WLCSP及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 透明基底，包括第一表面、第二表面以及与所述第一表面和所述第二表面横切的侧壁，所述第二表面在从所述第一表面朝向所述第二表面的方向上与所述第一表面相对； 模制化合物，处于所述透明基底的所述侧壁上； 裸片，处于所述透明基底的所述第二表面上，所述裸片包括： 传感器，与所述透明基底对准； 接触件，在与所述方向横切的横切方向上从所述裸片的边缘向外延伸、并且延伸远离所述传感器；以及 电连接件，具有被耦合到所述传感器的第一端以及被耦合到所述接触件的第二端； 第一绝缘层，处于所述裸片上、并且处于所述裸片的所述接触件上；以及 导电层，处于所述第一绝缘层上，所述导电层包括： 第一端部，处于所述第一绝缘层上；以及 横切部，处于所述第一绝缘层上，所述横切部与所述第一端部横切、与所述接触件横切、并且被耦合到所述接触件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体有限公司，其通讯地址为：中国香港九龙尖沙咀广东道25号第1座16层1606-1612；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号