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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114764780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110264931.2，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构是由潘伟伟;蓝帆设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构在说明书摘要公布了：本发明提供了识别光刻缺陷热点图形的方法，包括：确定版图的待识别层；预设宽度范围，识别初始边；预设RightSpace范围和LeftSpace范围，识别Edge_out；将所述plg_out中，满足一侧边为Fit_width_e_LSW且另一侧边为Fit_width_e_RSW的多边形区域识别为plg_out_plus，即目标图形。本发明的方法能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供了一种光刻缺陷热点图形结构，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。

本发明授权一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构在权利要求书中公布了：1.一种识别光刻缺陷热点图形的方法，其特征在于：包括： 步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层； 步骤S2.预设宽度范围width，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述width范围内的图形识别为初始多边形，并将其沿图形走向的轮廓边识别为初始边； 步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区； 步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边； 步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out，并将plg_out两侧的边识别为Edge_out； 步骤S6.将所述Edge_out与相邻图形之间的间距在预设的RightSpace范围内的间隔区域识别为Fit_RS_plus，将所述Edge_out与相邻图形之间的间距在预设的LeftSpace范围内的间隔区域识别为Fit_LS_plus； 步骤S7.所述Fit_LS_plus的一侧与所述plg_out接触，将与Fit_LS_plus另一侧接触的图形中线宽在预设的W1范围内的多边形区域识别为plg_out_LS，并将所述plg_out_LS中与所述Fit_LS_plus接触的轮廓边识别为Fit_LSW_e； 所述Fit_RS_plus的一侧与所述plg_out接触，将与Fit_RS_plus另一侧接触的图形中线宽在预设的W2范围内的多边形区域识别为plg_out_RS，并将所述plg_out_RS中与所述Fit_RS_plus接触的轮廓边识别为Fit_RSW_e； 步骤S8.将所述Fit_LSW_e与所述Edge_out之间的间隔区域识别为Fit_LSW，将所述Fit_RSW_e与所述Edge_out之间的间隔区域识别为Fit_RSW； 步骤S9.将所述plg_out中与所述Fit_LSW接触的轮廓边识别为Fit_width_e_LSW，将所述plg_out中与所述Fit_RSW接触的轮廓边识别为Fit_width_e_RSW； 将所述plg_out中，满足一侧轮廓边为Fit_width_e_LSW且另一侧轮廓边为Fit_width_e_RSW的多边形区域识别为plg_out_plus；所述plg_out_plus为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。

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