恭喜爱思开海力士有限公司金进雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193925.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金进雄设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件，其包括：沟槽，其在衬底中限定有源区；第一半导体内衬，其形成在沟槽之上；第二半导体内衬，其形成在第一半导体内衬之上；以及器件隔离层，其形成在第二半导体内衬之上并填充沟槽。本公开还提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底中形成限定有源区的沟槽；在沟槽上方形成多个半导体内衬；在形成每个半导体内衬之前执行预处理；以及在形成每个半导体内衬之后执行后处理。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在衬底中限定有源区的沟槽； 在所述沟槽上的第一半导体内衬； 在所述第一半导体内衬上的第二半导体内衬；和 在所述第二半导体内衬上并填充所述沟槽的器件隔离层； 所述第一半导体内衬包括从所述沟槽的表面生长的多晶硅层，以及 所述第二半导体内衬包括从所述第一半导体内衬的表面生长的多晶硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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