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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011361369.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由黄懋霖;朱龙琨;徐崇威;余佳霓;江国诚;王志豪设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括：在p型区域和n型区域中分别提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层周围形成栅极介电层；以及在栅极介电层周围形成牺牲层。牺牲层在第一沟道层之间的间隔和第二沟道层之间的间隔中合并。方法还包括：蚀刻牺牲层，从而使得仅牺牲层的位于第一沟道层之间的间隔和第二沟道层之间的间隔中的部分保留；形成覆盖p型区域并且暴露n型区域的掩模；从n型区域去除牺牲层；去除掩模；以及在n型区域中的栅极介电层周围和p型区域中的栅极介电层和牺牲层上方形成n型功函金属层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供具有p型区域和n型区域的结构，所述p型区域具有第一沟道层，所述n型区域具有第二沟道层； 在所述第一沟道层周围和所述第二沟道层周围形成栅极介电层； 在所述p型区域和所述n型区域中的所述栅极介电层周围形成牺牲层，其中，所述牺牲层在所述第一沟道层之间的间隔中合并，并且在所述第二沟道层之间的间隔中合并； 蚀刻所述牺牲层，从而使得仅所述牺牲层的位于所述第一沟道层之间的间隔中和所述第二沟道层之间的间隔中的部分保留； 形成覆盖所述p型区域并且暴露所述n型区域的第一掩模； 利用位于适当位置的所述第一掩模，从所述n型区域去除所述牺牲层； 去除所述第一掩模；以及 在去除所述第一掩模之后，在所述n型区域中的所述栅极介电层周围和在所述p型区域中的所述栅极介电层和所述牺牲层上方形成n型功函金属层； 所述方法还包括形成p型功函金属层；其中，在形成所述n型功函金属层之后以及在形成所述p型功函金属层之前，在所述n型区域和所述p型区域中的所述n型功函金属层上方形成钝化层，其中，所述钝化层包括氧化铝层、二氧化硅层或者具有硅层和二氧化硅层的双层。

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