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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111141070.5，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权三维存储器及其制作方法是由许宗珂;袁彬;张强威;许波设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括：衬底；位于衬底上的栅极堆叠结构，划分为沿平行于衬底的第一横向依次设置的核心区和台阶区；虚拟分隔结构，垂直于衬底并在第一横向贯穿台阶区，以将台阶区划分为多个块台阶区；栅极分隔结构，垂直于衬底并在虚拟分隔结构的假想延伸线上沿第一横向贯穿核心区，以将核心区划分为多个块核心区，栅极分隔结构具有在第一横向与虚拟分隔结构相接触的第一侧端部，虚拟分隔结构具有在第一横向与栅极分隔结构相接触的第二侧端部，第一侧端部被包围在第二侧端部内，或第二侧端部被包围在第一侧端部内，从而避免了在利用栅极分隔结构分隔台阶区时栅极分隔结构易在台阶区发生变形甚至断裂的问题。

本发明授权三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其包括： 栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括沿第一方向并列设置且直接接触的核心区和台阶区； 虚拟分隔结构，在所述第一方向贯穿所述台阶区； 栅极分隔结构，在所述第一方向贯穿所述核心区，所述栅极分隔结构具有在所述第一方向与所述虚拟分隔结构相接触的第一端部，所述虚拟分隔结构具有在所述第一方向与所述栅极分隔结构相接触的第二端部，且所述第一端部位于所述第二端部内；所述第二端部包括两个夹持子部，所述第一端部在垂直于所述第一方向的第二方向上位于两个所述夹持子部之间，且与两个所述夹持子部直接接触； 位于所述核心区中的多个沟道结构，所述多个沟道结构在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向贯穿所述核心区； 位于所述台阶区中的多个虚拟沟道结构，所述多个虚拟沟道结构在所述第三方向贯穿所述台阶区。

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