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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利存储器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053432B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011213293.3，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权存储器件及其操作方法是由崔容赫;南尚完设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其操作方法在说明书摘要公布了：一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括分别连接在串选择线与接地选择线之间的单元串；字线，连接到存储器单元；控制逻辑，生成提供给所述串选择线的第一电压和提供给所述接地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和所述第二电压的电压电平以控制所述单元串的沟道升压电平；以及行解码器，在所述控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、以及所述第一电压和所述第二电压提供给所述存储单元阵列。所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电压中的一个作为预脉冲电压。所述行解码器将第三电压提供给所述字线中的至少一个。

本发明授权存储器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 存储器单元阵列，包括多个单元串，每个单元串包括分别连接在多个串选择线与多个接地选择线之间的多个存储器单元以及连接到所述多个存储器单元的多个字线； 控制逻辑，被配置为生成提供给所述多个串选择线的第一电压和提供给所述多个接地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和所述第二电压的每个电压电平以控制所述多个单元串的沟道升压电平；以及 行解码器，被配置为在所述控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、所述第一电压和所述第二电压提供给所述存储器单元阵列，其中： 所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电压中的一个作为预脉冲电压，以在将所述读电压输入到所选字线之前将所述预脉冲电压输入到未选串选择线或未选接地选择线，并且 所述行解码器将第三电压提供给所述多个字线中的至少一个字线，所述第三电压在所述预脉冲电压具有高于或等于预定第一阈值的电平时具有第一电平，并在所述预脉冲电压具有低于所述第一阈值的电平时具有高于所述第一电平的第二电平， 其中，在所述预脉冲电压具有高于或等于所述第一阈值的电平的时段期间，基于被提供所述第三电压的字线，将所述多个单元串的每个沟道分为第一沟道和第二沟道。

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