恭喜联华电子股份有限公司林宗翰获国家专利权
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龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利功率半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010927143.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权功率半导体元件是由林宗翰;叶宜函设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种功率半导体元件，包括:基材、第一阱区、第二阱区、漏极、源极、第一栅极结构、第二栅极结构及掺杂区。第一阱区具有第一电性，由基材表面延伸进入基材中。第二阱区具有第二电性，由基材表面延伸进入基材中。漏极具有第一电性，并位于第一阱区中。源极具有第一电性，并位于第二阱区中。第一栅极结构位于基材表面上，且与第一阱区和第二阱区至少部分重叠。第二栅极结构位于基材表面上，且与第二阱区重叠，并与第一栅极结构隔离。掺杂区具有该第一电性，位于第二阱区中，并且连接第一栅极结构和第二栅极结构。
本发明授权功率半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体元件，其特征在于，该功率半导体元件包括: 基材，具有表面； 第一阱区，具有第一电性，由该表面延伸进入该基材之中； 第二阱区，具有第二电性，由该表面延伸进入该基材之中，并与该第一阱区隔离； 漏极，具有该第一电性，并位于该第一阱区之中； 源极，具有该第一电性，并位于该第二阱区之中； 第一栅极结构，位于该表面上，且与该第一阱区和该第二阱区至少部分重叠； 第二栅极结构，位于该表面上，且与该第二阱区重叠；以及 掺杂区，具有该第一电性，位于该第二阱区之中，并且连接该第一栅极结构和该第二栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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