恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林孟良获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010894054.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权封装结构及其形成方法是由林孟良;蔡柏豪;庄博尧;吴逸文;翁得期;郑心圃设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及封装结构及其形成方法，此方法包含设置半导体晶粒于重布线结构的第一表面之上。此方法还包含形成第一保护层以围绕半导体晶粒的一部分。此方法还包含设置装置元件于重布线结构的第二表面之上。重布线结构介于装置元件与半导体晶粒之间。此外，此方法包含形成第二保护层以围绕装置元件的一部分。第二保护层比第一保护层厚，且第二保护层与第一保护层具有不同的热膨胀系数。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构的形成方法，包括： 形成一重布线结构于一第一承载基板之上； 在形成该重布线结构之后，设置一半导体晶粒于该重布线结构的一第一表面之上； 形成一第一保护层以覆盖该半导体晶粒； 平坦化该第一保护层，使得原先被该第一保护层覆盖的该半导体晶粒暴露出来，且该半导体晶粒的最顶面与该第一保护层的最顶面彼此齐平； 设置一第二承载基板于该半导体晶粒的该最顶面和该第一保护层的该最顶面上； 在设置该第二承载基板之后，移除该一第一承载基板； 设置一装置元件于该重布线结构的一第二表面之上，其中该重布线结构介于该装置元件与该半导体晶粒之间； 移除该第二承载基板；以及 在设置该第二承载基板之后且在移除该第二承载基板之前，形成一第二保护层以围绕该装置元件的至少一部分，其中该第二保护层比该第一保护层厚，且该第二保护层与该第一保护层具有不同的热膨胀系数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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