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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010898630.0，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法是由董超;曾文彬;孙文伟;郭金童;邓超;陈本龙;唐柳生;石铿;孙永伟;邹平设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法在说明书摘要公布了：本说明书一个或多个实施例提供一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法，绝缘垫块包括：本体，所述本体的表面开有至少一个具有第一深度的第一凹槽和至少一个具有第二深度的第二凹槽，所述第一深度与所述第二深度不同；通过深度不同的第一凹槽和第二凹槽，能够满足放电间隙和爬电距离的要求，有效增加爬电距离，同时能够减小绝缘垫块的重量；本说明书的绝缘垫块的设计方法，能够实现绝缘垫块的标准化结构设计。

本发明授权一种绝缘垫块、半导体组件及绝缘垫块的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘垫块的设计方法，其特征在于，所述绝缘垫块包括本体，所述本体的侧面开有至少一个具有第一深度的第一凹槽和至少一个具有第二深度的第二凹槽，所述第一深度与所述第二深度不同；所述本体的上表面设有用于与传力部件连接的定位槽；所述本体的下表面设有用于与台面接触部件连接的台面；所述设计方法包括： 根据所述台面接触部件的尺寸确定所述台面的直径D2； 根据所述台面的直径D2确定所述本体的对应所述第一凹槽底面的直径D3； 根据电气间隙要求确定所述绝缘垫块的厚度B； 根据所述传力部件的尺寸确定所述定位槽的直径D4； 根据所述台面的直径D2、所述定位槽的直径D4和所述绝缘垫块的厚度B，确定所述本体的对应所述第二凹槽底面的直径D5； 根据半导体组件的压接件尺寸确定所述绝缘垫块的最大直径D1；所述绝缘垫块的最大直径D1与压接件的直径的差值的取值范围为10-25mm； 所述绝缘垫块的实际爬电距离L为： L＝B+2N1×D1-D3+2N2+1×D1-D59 其中，N1为所述第一凹槽的数量，N2为所述第二凹槽的数量。

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