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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010824089.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件和方法是由许书维;沈育仁;郑皓云;吴稚伟;陈盈淙;陈盈和设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光CMP工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。

本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在第一源极漏极区域和第二源极漏极区域上方形成电介质材料； 形成与所述第一源极漏极区域相邻的第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度； 形成与所述第二源极漏极区域相邻的第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度； 在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积第一填充层； 在所述第一填充层上方沉积第二填充层； 利用化学机械抛光CMP工艺对所述第二填充层进行平坦化，执行所述CMP工艺直到所述第一填充层被暴露为止；以及 利用回蚀工艺对所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层进行平坦化，所述回蚀工艺以相同速率蚀刻所述第一填充层、所述第二填充层、所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的材料，其中，在所述回蚀工艺之后，所述电介质材料和所述第一填充层的最上表面是齐平的。

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