恭喜华为技术有限公司方黎明获国家专利权
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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种像素驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099887.8，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权一种像素驱动电路是由方黎明;赵公元;闫潇设计研发完成，并于2020-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素驱动电路在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种可以用于microLED的像素驱动电路，包括级联于发光二极管的阴极和地之间的第一开关和第二开关，以及电荷吸收电路。其中，第一开关被PWM信号控制以控制发光二极管的导通和截止，第二开关的控制端接收偏置电压，电荷吸收电路与第一开关和第二开关的连接点相连，以吸收该连接点上的电荷，加速发光二极管的信号建立，提升像素发光二极管的显示性能。
本发明授权一种像素驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包括： 第一开关和第二开关，所述第一开关的第一端与发光二极管的阴极电连接，所述第一开关的第二端与所述第二开关的第一端电连接，所述第二开关的第二端与地电连接，所述第一开关的控制端接收控制信号，所述第二开关的控制端接收偏置电压，所述发光二极管的阳极与电源电连接；以及 电荷吸收电路，电连接于地和第一节点之间，所述第一节点为所述第一开关的第二端，所述电荷吸收电路用于从所述第一节点吸收电荷； 其中，所述电荷吸收电路包括二极管连接的MOS管，所述二极管连接的MOS管包括： 第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极和栅极与所述第一节点电连接； 第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的源极电连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第一节点电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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