恭喜长鑫存储技术有限公司周震获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利DRAM阵列版图及DRAM存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910944762.X，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权DRAM阵列版图及DRAM存储器是由周震设计研发完成，并于2019-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM阵列版图及DRAM存储器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种DRAM阵列版图及DRAM存储器。DRAM阵列版图包括平行排列沿第一方向延伸的字线图形，平行排列沿第二方向延伸的位线图形，第一方向与第二方向不平行；第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别位于位线图形的两侧，第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形分别与字线图形具有部分重合区；平行排列沿第三方向延伸的有源区图形，有源区图形的两端分别与第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形具有部分重合区。本发明提供的DRAM阵列版图设计，在相同存储单元面积下具有更大的字线间距，能更好地适用于下一代存储器制造技术。
本发明授权DRAM阵列版图及DRAM存储器在权利要求书中公布了：1.一种DRAM阵列版图，其特征在于，包括： 平行排列并沿第一方向延伸的字线图形； 平行排列并沿第二方向延伸的位线图形，所述第一方向与所述第二方向不平行； 位于存储单元接触孔上方的第一存储单元接触垫图形和第二存储单元接触垫图形，所述第一存储单元接触垫图形和所述第二存储单元接触垫图形分别位于所述位线图形的两侧且与所述位线图形在半导体衬底平面上的正投影不重叠，所述第一存储单元接触垫图形和所述第二存储单元接触垫图形分别与所述字线图形具有部分重合区； 平行排列并沿第三方向延伸的有源区图形，所述有源区图形的两端分别与所述第一存储单元接触垫图形和所述第二存储单元接触垫图形具有部分重合区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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