恭喜晶澜光电科技(江苏)有限公司徐友勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶澜光电科技(江苏)有限公司申请的专利SiC半导体封装用纳米银浆、银膜、封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510435973.6，技术领域涉及：H01B1/22；该发明授权SiC半导体封装用纳米银浆、银膜、封装结构及其制备方法是由徐友勇;陆梦娜;李凌燕;乔琦;金光耀设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC半导体封装用纳米银浆、银膜、封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SiC半导体封装用纳米银浆、银膜、封装结构及其制备方法，银浆包括50~90wt%纳米银粉、0.1~5wt%多孔金属材料、5~45wt%有机载体、0.01~0.5wt%无机纳米介孔材料，纳米银粉包括两种不同尺寸的银粉；多孔金属材料为多孔金属和或金属有机框架材料。本发明采用两种不同尺寸的纳米银粉，能够增加堆积密度，降低纳米银浆烧结后的孔隙率，在烧结过程中，银原子会扩散填充进多孔金属材料、无机纳米介孔材料的孔洞内，在孔洞内形成烧结颈，且晶核不断长大，使得多孔金属材料、无机纳米介孔材料穿插交互连接起来，提高银烧结接头的高温服役稳定性和长期服役可靠性。
本发明授权SiC半导体封装用纳米银浆、银膜、封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC半导体封装用纳米银浆，其特征在于，以质量百分含量计，包括如下物质组分： 纳米银粉：50wt%~90wt%； 多孔金属材料：0.1wt%~5wt%； 有机载体：5wt%~45wt%； 无机纳米添加相：0.01wt%~0.5wt%； 其中：纳米银粉由纳米级的第一银粉和第二银粉组成，第一银粉的D50为20~100nm，第二银粉的D50为100~800nm；多孔金属材料为多孔金属和或金属有机框架材料；无机纳米添加相为无机纳米介孔材料。
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