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龙图腾网恭喜中茵微电子(南京)有限公司申请的专利一种集成电路3D封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119940278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429296.7，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种集成电路3D封装结构及其封装方法是由刘娅晴;刘德启;刘若廷设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路3D封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路3D封装结构及其封装方法，涉及半导体封装技术领域，该封装方法包括以下步骤：获取集成电路的层次数量；根据所述集成电路的层次数量，对模块的布局位置进行划分，得到集成电路的布局模型；根据所述集成电路的布局模型，计算芯片层的硅通孔数量；通过硅通孔将模块与模块进行连接，得到集成电路的三维模型；对所述集成电路的三维模型进行评估，确定集成电路的封装结构。本发明通过划分模块在芯片层以及芯片层内部的位置，根据布局模型计算硅通孔的数量，对连接硅通孔得到的三维模型进行走线、硅通孔和温度评估，确定集成电路三维封装结构，在模块内部设置硅通孔的同时减少走线和温度消耗，提高了三维封装集成电路的性能。

本发明授权一种集成电路3D封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路3D封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取集成电路的层次数量； 根据所述集成电路的层次数量，对模块的布局位置进行划分，得到集成电路的布局模型； 根据所述集成电路的布局模型，计算芯片层的硅通孔数量； 通过硅通孔将模块与模块进行连接，得到集成电路的三维模型； 对所述集成电路的三维模型进行评估，确定集成电路的封装结构，包括以下步骤： 根据所述集成电路的三维模型，计算模块的走线长度； 对所述模块的走线长度进行求和，得到芯片层的走线长度 根据所述集成电路的三维模型，估算芯片层的温度差值； 根据所述芯片层的温度差值，获取集成电路的最大温差； 根据所述芯片层的走线长度、所述芯片层的硅通孔数量和所述集成电路的最大温差，对集成电路进行评估，确定所述集成电路的封装结构； 其中，所述根据所述集成电路的三维模型，估算芯片层的温度差值，包括以下步骤： 根据所述集成电路的三维模型，获取芯片层的互连关系； 根据所述芯片层的互连关系，计算芯片层的垂直热阻； 获取芯片层的硅通孔直径和芯片层的硅通孔高度； 根据所述芯片层的硅通孔直径，计算硅通孔横向热阻； 根据所述芯片层的硅通孔高度，计算硅通孔垂直热阻； 根据所述芯片层的垂直热阻、所述硅通孔横向热阻和所述硅通孔垂直热阻，计算芯片层的热量； 根据所述芯片层的热量，估算所述芯片层的温度差值； 所述芯片层的温度差值的估算公式表示如下： ， 其中，为第层芯片的温度差值，为热沉的热阻，为层次数量，为第层芯片的垂直热阻，为封装的热阻，为第层芯片的热量，为芯片层的层数编号，。

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