恭喜先材(深圳)半导体科技有限公司徐彬城获国家专利权
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龙图腾网恭喜先材(深圳)半导体科技有限公司申请的专利一种工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119913489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510413316.1，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权一种工艺腔室及半导体工艺设备是由徐彬城;逄效伟;陆伟伟设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体，顶部设有第一进气孔，底部设有第一出气孔；基片载台，设置于所述腔室本体内的底部，用于承载晶片；石英环，设置于所述腔室本体内的底部，并且环绕所述基片载台设置，所述石英环的直径由上至下逐渐减小，所述石英环的高度基本等于所述基片载台的高度。本申请由于石英环的直径由上至下逐渐减小，改变了气流的路径，使得石英环顶部的涡流消失了，工艺腔室内气流更加平稳均匀，从而可以使膜厚更均匀，提高了产品品质的一致性。
本发明授权一种工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括： 腔室本体，顶部设有第一进气孔，底部设有第一出气孔； 基片载台，设置于所述腔室本体内的底部，用于承载晶片； 石英环，设置于所述腔室本体内的底部，并且环绕所述基片载台设置，所述石英环的直径由上至下逐渐减小，所述石英环的高度基本等于所述基片载台的高度； 所述腔室本体的底部内侧面设有限位结构，用于对所述石英环进行限位； 所述限位结构包括设置于所述腔室本体的底部内侧面的弧形台阶，所述弧形台阶与所述石英环的底部半径相等，并且所述弧形台阶的圆心角小于90°； 所述石英环抵靠所述弧形台阶设置，以进行限位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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