恭喜季华实验室单欣获国家专利权
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龙图腾网恭喜季华实验室申请的专利一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119900002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510392021.0，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器是由单欣;徐秀兰;黄意雅;于广华;朱冠伦;任宏宇;郭奇勋;何强设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器在说明书摘要公布了：本申请属于金属磁性薄膜材料技术领域，具体公开了一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器，该磁码盘材料中包括有双Au催化磁力层和Ta层，其中双Au催化FeCrCoMoTi磁力层包括有第一Au层、FeCrCoMoTi层和第二Au层；FeCrCoMoTi磁码盘材料还经过645℃‑655℃真空退火。本申请还提供了上述磁码盘材料的具体制备方法，以及包括上述磁码盘材料的磁编码器。本申请所提供的包括双Au催化FeCrCoMoTi磁力层的磁码盘材料，制备工艺简单，相较传统的FeCrCoMoTi薄膜，其矫顽力有明显增幅，且同时制备过程简单高效，成本较低。
本发明授权一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器在权利要求书中公布了：1.一种磁码盘材料，其特征在于，包括双Au催化磁力层和Ta层；所述双Au催化磁力层由自下而上的第一Au层、FeCrCoMoTi层和第二Au层经真空退火得到；所述真空退火的温度为645℃-655℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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