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龙图腾网恭喜北京智芯微电子科技有限公司;清华大学;北京智芯半导体科技有限公司申请的专利高速电平转换电路以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119906415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510388952.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权高速电平转换电路以及芯片是由陈永利;徐鲲鹏;武占侠;代洪光;李福乐;周靖鹏;肖衍设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速电平转换电路以及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路领域，公开一种高速电平转换电路以及芯片，所述电路包括：同反相信号输出电路，用于在输入信号上升沿期间，输出同相的第一输出信号及反相的第二输出信号；电平升压电路，用于响应于第一、第二输出信号，进入充电状态及将第一输出信号抬升V BS；衬底电压调节电路，用于响应于第一、第二输出信号，产生正向脉冲微分波形以使转换电路的第一NMOS管快速开启及产生负向脉冲微分波形以使第二NMOS管快速关闭；转换电路，用于响应于第一、第二NMOS管动作，将输出电压拉向低电平；反相输出缓冲器电路，用于对其输出电压进行反相以将低电平转换为目标电平。本发明的电平转换电路可实现高速、宽电平转换范围。

本发明授权高速电平转换电路以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种高速电平转换电路，其特征在于，所述高速电平转换电路包括：同反相信号输出电路、电平升压电路、衬底电压调节电路、基于交叉耦合结构的电平转换电路以及反相输出缓冲器电路， 其中，所述同反相信号输出电路用于在输入信号的上升沿期间，输出与输入信号同相的第一输出信号以及与所述输入信号反相的第二输出信号； 所述电平升压电路用于响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，进入充电状态以及将所述第一输出信号抬升V BS，其中，所述V BS为用于控制所述电平升压电路的外部偏置电压； 所述衬底电压调节电路用于响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，产生正向的脉冲微分波形以使得所述电平转换电路中的第一NMOS管快速开启，以及产生负向的脉冲微分波形以使得所述电平转换电路中的第二NMOS管快速关闭，其中，所述V BS小于所述第一NMOS管与所述第二NMOS管的阈值电压； 所述电平转换电路用于响应于所述第一NMOS管快速开启且所述第二NMOS管快速关闭，将输出电压拉向低电平0；以及 所述反相输出缓冲器电路用于对所述输出电压进行反相，以将低电平0转换为目标电平； 其中，所述电平升压电路包括： 第一电路，用于在输入信号的上升沿期间，响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，进入充电状态，或者，在输入信号的下降沿期间，响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，将所述第二输出信号抬升VBS；以及 第二电路，用于在输入信号的上升沿期间，响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，将所述第一输出信号抬升VBS，或者，在输入信号的下降沿期间，响应于所述第一输出信号与所述第二输出信号，进入充电状态。

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