恭喜横店集团东磁股份有限公司吴成坤获国家专利权
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龙图腾网恭喜横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510386670.X，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法是由吴成坤;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法。该电池包括：N型硅基底，设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化膜，设于N型硅基底背面且交错排布的正极区A、负极区A、正极区B和负极区B；正极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层、钝化膜和正极；负极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、钝化膜和正极；正极区B包括内硼扩散层、钝化膜和正极；负极区B包括钝化膜和负极。本发明电池中电极全部位于背面，不仅可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能，且在串联为电池组件后可避免连接导线对硅片侧面的损伤，提高良品率。本发明电池为全硅基电池，电池整体稳定性更好。
本发明授权一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种四端式全硅基多结太阳能电池，其特征在于包括： N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化膜，设于N型硅基底背面且交错排布的正极区A、负极区A、正极区B和负极区B； 正极区A包括依次设于N型硅基底背面的内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层和钝化膜，以及设于外硼扩散层上的正极； 负极区A与正极区A相邻，包括内硼扩散层、磷扩散层和钝化膜，以及设于磷扩散层上的负极； 正极区B与负极区A相邻，包括内硼扩散层和钝化膜，以及设于内硼扩散层上的正极； 负极区B与正极区B相邻，包括钝化膜，以及设于N型硅基底上的负极。
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