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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119892063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510361198.4，技术领域涉及：H03K19/21；该发明授权基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用是由王兴晟;甘周超;李梦婕;缪向水设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用，属于微电子器件技术领域；包括电阻及负极均与电阻的一端相连的两个相同的忆阻器M1、M2；本发明充分利用了忆阻器的阻态特性，通过在忆阻器M2的初始阻态为高阻值状态的基础上，设置忆阻器M1的阻态为与逻辑值c相对应的阻态，忆阻器M1的正极、M2的正极、电阻另一端的输入电压一一对应为与逻辑值b相关的电压‑Vb‑Vp、与逻辑值a相关的电压Va、与逻辑值b相关的电压‑Vb，由此实现了逻辑值a、b、c的多数门逻辑运算；本发明仅需要采用两个忆阻器即可实现多数门逻辑运算，降低了电路面积开销。

本发明授权基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的多数门逻辑电路，其特征在于，用于对逻辑值a、b、c进行多数门逻辑运算，包括：电阻和两个相同的忆阻器M1、M2；忆阻器M1和忆阻器M2的负极均与电阻的一端相连； 所述多数门逻辑电路在对逻辑值a、b、c进行多数门逻辑运算之前，忆阻器M2的阻态为高阻值状态； 所述多数门逻辑电路在对逻辑值a、b、c进行多数门逻辑运算时，忆阻器M1的阻态为与逻辑值c相对应的阻态，忆阻器M1的正极用于接入电压-Vb-Vp，忆阻器M2的正极用于接入电压Va，电阻的另一端用于接入电压-Vb，忆阻器M2的最终阻态为逻辑值a、b、c的多数门逻辑运算结果； 其中，忆阻器的高阻态对应逻辑值“0”，低阻态对应逻辑值“1”；当b为1时，Vb为Vp；当b为0时，Vb为幅值为0的电压；当a为1时，Va为Vp；当a为0时，Va为幅值为0的电压；电压Vp满足：Vset2VpVset，且Vp2|Vreset|3；Vset为忆阻器由高阻态转变为低阻态的阈值；Vreset为忆阻器由低阻态转变为高阻态的阈值；电阻的阻值；RH和RL分别为忆阻器的高阻态电阻值和低阻态电阻值。

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