深圳通锐微电子技术有限公司古贺刚获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳通锐微电子技术有限公司申请的专利半导体散热装置及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119419179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013421.6，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体散热装置及半导体器件是由古贺刚;皿井修;张一帆设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体散热装置及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体散热装置及半导体器件，半导体散热装置包括薄膜基材，半导体芯片沿第一方向排列在薄膜基材的承载面上，第一方向为承载面的侧边的延展方向；树脂保护层，绕设于半导体芯片，且连接半导体芯片的侧边和薄膜基材的承载面；图形散热片，连接在半导体芯片背离薄膜基材的一侧且覆盖半导体芯片，图形散热片和半导体芯片之间填充有粘接材料层，以及粘接材料层进一步的充盈在图形散热片、树脂保护层和薄膜基材之间；在第一方向上，半导体芯片的端部凸出于粘接材料层，以及图形散热片的两侧开设有散热凹陷缺口，半导体芯片的端部对应在散热凹陷缺口内。本申请提高半导体芯片的散热效果。
本发明授权半导体散热装置及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体散热装置，其特征在于，包括： 薄膜基材，用于承载具有第一设定厚度的半导体芯片，以及所述半导体芯片沿第一方向排列在所述薄膜基材的承载面上，其中，所述第一方向为所述承载面的侧边的延展方向； 树脂保护层，绕设于所述半导体芯片，且连接所述半导体芯片的侧边和所述薄膜基材的承载面； 图形散热片，连接在所述半导体芯片背离所述薄膜基材的一侧且覆盖所述半导体芯片，所述图形散热片和所述半导体芯片之间填充有粘接材料层，以及所述粘接材料层进一步的充盈在所述图形散热片、所述树脂保护层和所述薄膜基材之间； 其中，在所述第一方向上，所述半导体芯片的端部凸出于所述粘接材料层，以及所述图形散热片和所述粘接材料层的两侧开设有散热凹陷缺口，所述半导体芯片的端部对应在所述散热凹陷缺口内，且在所述第一方向上，所述散热凹陷缺口由靠近所述半导体芯片向远离所述半导体芯片而渐扩。
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