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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791407.0，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法是由徐殿国;支帅青设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法在说明书摘要公布了：一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域，该驱动电路通过参数配置匹配待控功率MOSFET寄生参数以提高适用性；在待控功率MOSFET关断过程中，所述电路控制栅极电压在高于米勒平台阶段快速下降、在米勒平台期间保持在米勒平台电压、在米勒平台至阈值电压阶段线性下降、在阈值电压以下快速下降，通过对栅极电压的连续精细控制实现漏源侧电压电流轨迹调控，解决了现有关断驱动电路难以在功率MOSFET器件关断过程中对栅极电压进行精细调控、无法对功率MOSFET漏源侧电压电流轨迹进行单独精细调控、难以在关断过程中同时满足低电压过冲和低关断损耗的目标、难以实现功率MOSFET器件尽限应用，导致难以满足电力电子装置高功率密度需求的问题。

本发明授权一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路及驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控宽适应MOSFET关断栅极驱动电路，通过端口Vgate驱动待控功率MOSFET，其特征在于，驱动电路包括电流镜模块、参数配置模块、维持模块、传导模块、控制模块、第一泄流模块、第二泄流模块、外部栅极电阻和节点net1至net6，其中，驱动电路中的NMOSMN1、NMOSMN4、NMOSMN6、NMOSMN7、NMOSMN8和NMOSMN9的栅极分别接第一至第六关断使能信号； 电流镜模块包括PMOSMP1、PMOSMP2、PMOSMP3和PMOSMP4；MP3的漏极、栅极和MP4的栅极接节点net1，MP3的源极接MP1的漏极，MP4的漏极接节点net2，MP4的源极接MP1的栅极、MP2的栅极和MP2的漏极，MP1和MP2的源极接电源VDD； 参数配置模块包括NMOSMN1、电阻R1、电阻R2和电容C1；MN1的漏极接节点net1、源极通过R1连接R2和C1的一端，R2和C1的另一端连接地； 维持模块包括NMOSMN2、NMOSMN3、NMOSMN4、二极管D1和电阻R3；D1的阳极接节点net2、阴极接节点net3、MN2的漏极和MN3的栅极，MN2的源极接地，栅极和MN3的源极、MN4的源极、R3的一端接节点net4，MN3的漏极接电源VDD，MN4的漏极连接NMOSMN11的栅极，R3的另一端接地； 传导模块包括NMOSMN5、二极管D2、电阻R4和电阻R5，MN5的漏极接电源VDD，节点net2接MN5的栅极、D2的阳极，节点net5接MN5的源极、D2的阴极及R4的一端，节点net6接R4的另一端，并通过R5接地； 控制模块包括NMOSMN6、NMOSMN7和电阻R6，MN6的漏极接控制电源VCC、源极接节点net6，MN7的漏极经R6接节点net6、源极接地； 第一泄流模块包括NMOSMN8和NMOSMN9，第二泄流模块包括NMOSMN10和NMOSMN11，MN8和MN10的漏极接端口Vgate，MN8和MN10的源极分别接MN9和MN11的漏极，MN9和MN11的源极接地； 外部栅极电阻连接在端口Vgate和待控功率MOSFET的栅极之间。

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