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龙图腾网恭喜英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利接触孔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110021666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811562679.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权接触孔是由T.贝特拉姆斯;M.斯特格曼;A.蒂尔克;S.韦伯设计研发完成，并于2018-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本接触孔在说明书摘要公布了：功率半导体器件包括：具有半导体主体和绝缘层的功率半导体部分构造，绝缘层布置在半导体主体的顶侧上，其中在绝缘层的顶侧上布置至少一个接触孔，其从绝缘层的顶侧出发至少部分地在绝缘层之内延伸并且被设置用于电接触在绝缘层的顶侧之下的接触区域。该功率半导体器件还包括：附着力促进剂层，其被布置在功率半导体部分构造的顶侧上并且至少部分地覆盖绝缘层的顶侧和接触孔的表面；包括钨的层，其布置在附着力促进剂层上并且至少部分地覆盖附着力促进剂层，并且其在接触孔的区域内具有第一厚度，第一厚度如此安排，使得包括钨的层填充接触孔，并且其在绝缘层的顶侧的区域内具有第一厚度的第二厚度；和连接层，其被布置在包括钨的层上。

本发明授权接触孔在权利要求书中公布了：1.功率半导体器件200；400，其中所述功率半导体器件包括： -功率半导体部分构造210，220；410，420，所述功率半导体部分构造具有半导体主体210，310和绝缘层220；420，所述绝缘层布置在所述半导体主体210；410的顶侧上，其中在所述绝缘层220；420的顶侧221；421上布置至少一个接触孔230；330，所述接触孔从所述绝缘层220；420的所述顶侧221；421出发至少部分地在所述绝缘层220；420之内延伸并且所述接触孔被设置用于电接触在所述绝缘层220；420的所述顶侧221；421之下的接触区域260；360； -附着力促进剂层242；442，所述附着力促进剂层被布置在所述功率半导体部分构造210，220；410，420的顶侧上并且至少部分地覆盖所述绝缘层220；420的所述顶侧221；421和所述接触孔230；330的表面； -包括钨的层244；444，所述包括钨的层被布置在所述附着力促进剂层242；442上并且至少部分地覆盖所述附着力促进剂层242；442，并且所述包括钨的层在所述接触孔230；330的区域内具有第一厚度D1，所述第一厚度如此安排，使得所述包括钨的层244；444填充所述接触孔230；330，并且所述包括钨的层在所述绝缘层220；420的所述顶侧221；421的区域内部分地被移除，使得所述包括钨的层的剩余部分具有第二厚度D2，所述第二厚度小于所述第一厚度D1，其中所述第一厚度D1是所述接触孔的垂直中心线距所述附着力促进剂层的水平距离并且所述第二厚度D2是所述剩余部分地垂直高度；和 -连接层250；450，所述连接层被布置在所述包括钨的层244；444上。

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