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龙图腾网恭喜深圳基本半导体有限公司申请的专利一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210230641.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用是由温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用在说明书摘要公布了：一种碳化硅MCT器件，其从下到上依次包括n型碳化硅衬底1、n型碳化硅缓冲层2、p型漂移层3、n型基区4；n型基区上部从左到右依次设有第一p型沟道区5、p型阳极区7和第二p型沟道区5’，第一p型沟道区5和第二p型沟道区5’分别包裹有第一n型阳极区6和第二n型阳极区6’；n型基区4顶部一侧设有沟槽，沟槽侧壁覆盖有沟槽栅氧化层8，沟槽内部填充第一栅电极9，形成沟槽栅结构；n型基区4顶部另一侧覆盖有平面栅氧化层8’，在平面栅氧化层8’上部填充第二栅电极9，形成平面栅结构。本发明的器件导通性能好，适合作为高压大功率电力电子领域的基础元器件。

本发明授权一种碳化硅MCT器件及其制造方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MCT器件，其特征在于，所述碳化硅MCT器件从下到上依次包括n型碳化硅衬底（1）、n型碳化硅缓冲层（2）、p型漂移层（3）、n型基区（4）；所述n型基区上部从左到右依次设有第一p型沟道区（5）、p型阳极区（7）和第二p型沟道区（5’），所述第一p型沟道区（5）和第二p型沟道区（5’）分别包裹有第一n型阳极区（6）和第二n型阳极区（6’）；所述n型基区（4）顶部一侧设有沟槽，所述沟槽侧壁覆盖有沟槽栅氧化层（8），所述沟槽内部填充第一栅电极（9），形成沟槽栅结构；所述n型基区（4）顶部另一侧覆盖有平面栅氧化层（8’），在所述平面栅氧化层（8’）上部填充第二栅电极（9’），形成平面栅结构；所述沟槽栅结构和所述平面栅结构上方均覆盖有介质层（10），所述介质层（10）顶部设有阳极金属（11），所述n型碳化硅衬底（1）背面设有阴极金属（12）；所述沟槽深度大于所述n型基区（4）深度，且小于所述p型漂移层（3）深度；所述p型阳极区（7）深度大于所述第一p型沟道区（5）和所述第二p型沟道区（5’）深度，且小于所述n型基区（4）深度。

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