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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210090222.1，技术领域涉及：H10D84/08；该发明授权顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法是由杨凌;武玫;李仕明;侯斌;王平;吕玲;张濛;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种顶层p型金刚石MOSFET与GaNHEMT单片异质集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，在AlGaN势垒层远离衬底一侧的表面依次生长SiN介质层和p型金刚石层；刻蚀去除部分p型金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HMET器件的第一源、漏电极；在p型金刚石层的表面上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在p型金刚石层表面沉积Al2O3，形成栅介质层；在栅介质层表面制作第二栅电极，形成顶层p型金刚石MOSFET与GaNHEMT的单片异质集成结构。本发明有利于减小器件体积，提高器件集成度；同时也调制了GaNHEMTs的热产生分布，提升器件的散热能力。

本发明授权顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种顶层p型金刚石MOSFET与GaNHEMT的单片异质集成结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，并在所述衬底表面生长外延结构，所述外延结构包括依次生长于衬底表面的GaN缓冲层和AlGaN势垒层； 在AlGaN势垒层远离所述衬底一侧的表面生长SiN介质层，并在SiN介质层远离所述衬底一侧的表面生长p型金刚石层； 刻蚀去除部分p型金刚石层后，在暴露出的SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并在所述源电极槽中制作HEMT器件的第一源电极、在所述漏电极槽中制作HEMT器件的第一漏电极；其中，刻蚀后的p型金刚石层包括第一子部和第二子部； 在p型金刚石层远离所述衬底一侧的表面上制作MOSFET器件的第二源电极和第二漏电极； 在p型金刚石层远离所述衬底一侧的表面沉积Al2O3，形成栅介质层； 在暴露出的SiN介质层远离所述衬底的一侧表面制作HEMT器件的第一栅电极；其中，所述第一子部与所述第一栅电极相触，沿垂直于衬底所在平面的方向，所述第一子部的正投影位于所述第一栅电极的正投影与所述第一漏电极的正投影之间；所述第二源电极和所述第二漏电极的正投影均位于所述第二子部的正投影内； 在所述栅介质层远离所述衬底一侧的表面制作第二栅电极，形成所述顶层p型金刚石MOSFET与GaNHEMT的单片异质集成结构。

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