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龙图腾网恭喜上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利平面型SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111498285.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权平面型SiC MOSFET器件是由曾大杰设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面型SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面型SiCMOSFET器件，包括：在两个相邻的沟道区之间的漂移区表面形成有抗JFET区；沟道区的二个以上的第一离子注入区设置为：注入峰值位置越深，注入峰值越大；注入峰值位置越浅，注入峰值越小；抗JFET区的一个以上的第二离子注入区的注入峰值位置和注入剂量设置为：第二离子注入区的注入峰值大小和位置都位于沟道区中的最浅和最深的注入峰值的大小和位置之间。本发明能同时满足阈值电压和降低器件的短沟道效应的要求以及抗JFET区既能满足降低器件的比导通电阻的要求，又能防止增加抗JFET表面的电场强度从而增加器件的可靠性。

本发明授权平面型SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种平面型SiCMOSFET器件，其特征在于，包括： 形成于第一导电类型掺杂的SiC外延层的选定区域中的沟道区，被栅极结构所覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道；所述沟道区外的所述SiC外延层组成漂移区； 在两个相邻的所述沟道区之间的所述漂移区表面形成有抗JFET区； 所述栅极结构也延伸到所述抗JFET区的表面上； 所述栅极结构由形成栅介质层和栅极导电材料层叠加而成； 所述沟道区由二个以上注入峰值位置不同的第二导电类型掺杂的第一离子注入区叠加而成； 所述抗JFET区由一个以上注入峰值位置不同的第一导电类型掺杂的第二离子注入区叠加而成； 所述沟道区中的各所述第一离子注入区设置为： 注入峰值位置越深，注入峰值越大；注入峰值位置越浅，注入峰值越小； 平面型SiCMOSFET器件的阈值电压由注入峰值位置最浅的所述第一离子注入区调节，由注入峰值位置次浅以下的各所述第一离子注入区来降低短沟道效应； 所述抗JFET区的各所述第二离子注入区的注入峰值位置和注入剂量设置为： 各所述第二离子注入区的注入峰值位置深于所述沟道区中的最浅的注入峰值位置，以降低所述栅介质层和所述SiC外延层界面处的电场强度； 各所述第二离子注入区的注入峰值位置浅于所述沟道区中的最深的注入峰值位置，以使器件的击穿电压得到保证； 各所述第二离子注入区的注入峰值大于所述沟道区中的注入峰值位置最浅的所述第一离子注入区的注入峰值，各所述第二离子注入区的注入峰值小于所述沟道区中的注入峰值位置最深的所述第一离子注入区的注入峰值，以实现降低JFET效应从而降低器件的比导通电阻。

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