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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111408339.1，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器及制备方法是由王林;王雪妍;姚晨禹;姜梦杰;陈效双设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器及制备方法。器件制备步骤是将机械剥离的石墨烯转移到本征高阻硅衬底上，利用紫外光刻技术和电子束蒸发制作源、漏电极，采用干法定点转移技术将机械剥离的CuInP2S6从聚二甲基硅氧烷PDMS转移到高阻硅衬底上，利用电子束曝光技术和电子束蒸发制作栅电极，并利用超声引线等工艺，制备出铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器。通过构造具有蝶形的金属结构天线，在铁电材料的调控下，实现室温高灵敏的太赫兹宽谱吸收，从而显著增强了探测器的源漏电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。基于铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器在太赫兹波段体现了很高的灵敏度。本发明的优点是响应率高，响应快，功耗低和便于集成化。

本发明授权一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电调控下的石墨烯太赫兹探测器，其特征在于： 所述探测器的结构为：在衬底1上设有二氧化硅层2，在二氧化硅层2上设有石墨烯3，在石墨烯3两端是源电极4和漏电极5，源电极4和漏电极5上面为二维铁电材料CuInP2S66，在二维铁电材料CuInP2S66上面为栅电极7； 所述的衬底1是本征高阻硅，其电阻率为10000Ω.cm,厚度为500μm； 所述的二氧化硅层2的厚度为300nm； 所述的石墨烯3的厚度为4nm； 所述的源电极4和漏电极5为金属复合电极，金属复合电极的下层金属为铬，作为粘附层，厚度是10nm，金属复合电极的上层金属为金,厚度是90nm； 所述的二维铁电材料CuInP2S66的厚度为110nm； 所述的栅电极7为金属复合电极，金属复合电极的下层金属为铬，作为粘附层，厚度是10nm，金属复合电极的上层金属为金,厚度是90nm。

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