中国科学技术大学杨树获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411613677.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件是由杨树;王子昂;王民泽;韩在天;谢选设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有抗单粒子辐照能力的Ш族氮化物器件。本发明在外延层结构的缓冲层与沟道层之间引入空穴存蓄层，空穴存蓄层在能带结构上形成了空穴势阱以有效收集沟道层中的辐照感生过剩空穴；同时，通过设置抽取电极和第二源极分别收集栅极下方附近区域以及栅源之间的辐照感生过剩空穴。其中，抽取电极设置在依次间隔排列的栅极之间，抽取电极、第二源极通过金属互连层与第一源极实现连接。本发明可以有效提升器件抗单粒子辐照能力，制作工艺与现有工艺兼容，无需额外引入复杂的工艺步骤。
本发明授权一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件在权利要求书中公布了：1.一种具有抗单粒子辐照能力的Ⅲ族氮化物器件，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物器件由下至上包括衬底、缓冲层、空穴存蓄层、沟道层、势垒层、p-GaN层与第一钝化层，所述沟道层的两侧分别设有第一源极与漏极，所述p-GaN层位于第一源极与漏极之间靠近第一源极侧，所述p-GaN层上设有沿y方向间隔排布的栅极，所述间隔排布的栅极之间设有刻蚀孔，所述刻蚀孔刻蚀至沟道层，空穴存蓄层或缓冲层，刻蚀孔中均设有抽取电极，所述抽取电极沿刻蚀孔与所述刻蚀孔的侧壁和底部接触；所述第一源极的附近还设有第二源极，所述第二源极通过金属互连层与第一源极和抽取电极连接；除所述抽取电极、第一源极、第二源极、漏极的顶面外，表面其余区域均填充有第二钝化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号