中国科学技术大学杨树获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种抗单粒子辐照的GaN HEMT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411613679.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种抗单粒子辐照的GaN HEMT是由杨树;王子昂;王民泽;韩在天;谢选设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗单粒子辐照的GaN HEMT在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗单粒子辐照的GaNHEMT，在p‑GaN层靠近漏极侧设置阶梯状结构，有效缓解栅极下方靠近漏极侧的电场聚集、抑制电场尖峰，从而提升器件在单粒子辐照下的关态阻断能力；在p‑GaN层阶梯状结构上设置刻蚀孔，淀积金属成为抽取电极，有效地抽取、泄放栅极附近辐照感生的过剩空穴，避免空穴在栅极下方积累引起的电子注入。阶梯状结构和抽取电极的设置能够分别通过从减弱电场和抽取过剩载流子的角度，提升器件抗单粒子辐照能力。
本发明授权一种抗单粒子辐照的GaN HEMT在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐照的GaNHEMT，其特征在于，所述抗单粒子辐照的GaNHEMT由下至上包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、p-GaN层与第一钝化层，所述沟道层的两侧分别设有第一源极与漏极，所述p-GaN层位于第一源极与漏极之间靠近第一源极侧，所述p-GaN层由靠近第一源极侧的p-GaN层栅极区域与靠近漏极侧的p-GaN层非栅极区域组成，所述p-GaN层非栅极区域包括高度沿第一源极向漏极降低的阶梯状结构或者斜面结构，所述p-GaN层栅极区域上设有栅极；在p-GaN层非栅极区域上沿y方向设置间隔排列的刻蚀孔，刻蚀孔中设有抽取电极，所述抽取电极沿刻蚀孔与所述刻蚀孔的侧壁和底部接触；所述第一源极附近设有第二源极，通过金属互连层将第一源极与抽取电极、第二源极连接起来；除所述抽取电极、第一源极、第二源极与漏极的顶面外，表面其余区域均填充有第二钝化层。
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